基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10120E详细内容
有客户在钳位设计中，考虑到外围电路问题，打算采用肖特基二极管来实现通过米勒效应，
将二极管接到IGBT门级进行钳位。
我们给客户推荐一款基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D10120E，该芯片可替代WOLFSPEED的
C4D10120E、英飞凌的IDM10G120C5、ST的STPSC10120、安森美的FFSD10120A，
具备较低的反向恢复电流，反向电压1200V，额定电流为10A，采用TO-252-2L封装，
非常适合高频电源开关应用。
B1D10120E在IGBT钳位电路中的优势：
1.反向电压1200V，可承受75A浪涌电流，可适用于大功率，大电流场合；
2.自身功率耗散较高可达241W，可延长其寿命周期，具有更高的稳定性；
3.反向恢复时间短，开关频率高，能够有效提升整体效率；
4.工作结温-55℃~175℃，能够保证恶劣环境下正常工作。
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