基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D10120HC1

通过采用基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10120HC1，可改善输出整流部分的效率，提升3.3kW车载充电机整机效率，增加系统电能利用率。


碳化硅肖特基二极管B2D10120HC1的特点如下：
1、VRRM=1200V，IF (TC=135℃) =10A，耐压性能出色；
2、碳化硅肖特基二极管，采用可防止泄露电流增加的JBS结势垒加固工艺，正向恢复电压、开关损耗更低，使输出整流部分效率提升，整机充电效率更高；
3、结温较大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，符合高温应用要求；
4、采用TO-247-3封装。

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